中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 200 C
包裝形式：Tray
功率耗散：150 W
集電極連續電流：15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：75 V
最大工作頻率：225 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：25
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV34的詳細信息，包括BLV34廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻MOSFET電源晶體管   射頻硅鍺晶體管   射頻雙極小信號晶體管   射頻JFET晶體管   射頻MOSFET小信號晶體管  

最新產品：

SIR626LDP-T1-RE3

100B1R2BT500XT1K

XC7K410T-2FBV676I

SI5345D-B05834-GM

TLE8458GXUMA2

192990-9310

RS07K-HM3-18

PUMH13F

GC11N65M

100B1R2BW500XT1K