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BLV10

廠家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封裝:
 SOT-123
數量:
 5302  
說明:
 射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
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BLV10-SOT-123圖片

BLV10 PDF參數資料

中文參數如下:

晶體管極性:NPN
安裝風格:Screw
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
增益帶寬產品fT:950 MHz
包裝形式:Tray
封裝形式:SOT-123
功率耗散:20 W
最大直流電集電極電流:4 A
集電極連續電流:1.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:18 V
最大工作頻率:175 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min:10
配置:Single
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

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