色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<code id="runub"></code>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > BLS6G2731-6G

BLS6G2731-6G

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT975C
數(shù)量：: 8118
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.

一、本商品被瀏覽0次.

BLS6G2731-6G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.26 Ohms
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：SOT975C
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：13 V
漏極連續(xù)電流：3.5 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

以上是BLS6G2731-6G的詳細信息，包括BLS6G2731-6G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：