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BGB 540 E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT343-3D
數(shù)量:
 4302  
說明:
 TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
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BGB 540 E6327-PG-SOT343-3D圖片

BGB 540 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

晶體管類型:NPN
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):3.5V
頻率 - 轉(zhuǎn)換:-
噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益:16dB ~ 17.5dB
功率 - 最大:120mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):-
電流 - 集電極 (Ic)(最大):30mA
安裝類型:表面貼裝

以上是BGB 540 E6327的詳細(xì)信息,包括BGB 540 E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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