色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BFU630F,115

BFU630F,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 4-DFP
數量：: 24743
說明：: 射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz

一、本商品被瀏覽0次.

BFU630F,115 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
安裝風格：SMD/SMT
增益帶寬產品fT：21 GHz
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-343F
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：90
功率耗散：200 mW
集電極連續電流：3 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：5.5 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BFU630F,115的詳細信息，包括BFU630F,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：