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BFR30LT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 6300
說明：: 射頻JFET晶體管 25V 10mA

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BFR30LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：225 mW
電阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5pF @ 10V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off)：5 V @ 0.5 nA
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss)：4 mA @ 10 V
漏源電壓（Vdss）：25 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是BFR30LT1G的詳細(xì)信息，包括BFR30LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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