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BFG 193 E6433

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT223-4
數量：
 1098  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFG 193 E6433-PG-SOT223-4圖片

BFG 193 E6433 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：600 mW
集電極連續電流：0.08 A
封裝形式：SOT-223-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 30 mA at 8 V
增益帶寬產品fT：8000 MHz
最大直流電集電極電流：0.08 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：12 V
集電極—基極電壓 VCBO：20 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BFG 193 E6433的詳細信息，包括BFG 193 E6433廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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