色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BF799WE6327BTSA1

BF799WE6327BTSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT323
數量：: 8640
說明：: RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

一、本商品被瀏覽0次.

BF799WE6327BTSA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：SC-70，SOT-323
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 20mA，10V
功率 - 最大值：280mW
增益：-
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：3dB @ 100MHz
頻率 - 躍遷：800MHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20V
晶體管類型：NPN
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BF799WE6327BTSA1的詳細信息，包括BF799WE6327BTSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：