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BDX53BTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220
數量:
 2967  
說明:
 達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial
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BDX53BTU-TO-220圖片

BDX53BTU PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:50
最小工作溫度:- 65 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:750
集電極連續電流:8 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:60 W
最大集電極截止電流:200 uA
最大直流電集電極電流:8 A
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:達林頓晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BDX53BTU的詳細信息,包括BDX53BTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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