色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BD435G

BD435G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-126
數量：: 1179
說明：: 兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 22V

一、本商品被瀏覽0次.

BD435G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：3MHz
功率 - 最大值：36 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：85 @ 500mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：100μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：32 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：4 A
晶體管類型：NPN
產品狀態：停產
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是BD435G的詳細信息，包括BD435G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：