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BD159STU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-126
數(shù)量:
 11212  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD159STU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:60
包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:20 W
直流電流增益 hFE 最大值:240
集電極連續(xù)電流:0.5 A
封裝形式:TO-126
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 50 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:30
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:350 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:350 V
集電極—基極電壓 VCBO:375 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD159STU的詳細(xì)信息,包括BD159STU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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