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BD1386S

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126
數(shù)量：: 8343
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BD1386S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：250
包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：12.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：- 1.5 A
封裝形式：TO-126
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
最大直流電集電極電流：1.5 A
集電極—射極飽和電壓：- 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD1386S的詳細(xì)信息，包括BD1386S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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