色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 > BCR 183W E6327

BCR 183W E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-323-3
數(shù)量：: 2943
說明：: 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR

一、本商品被瀏覽0次.

BCR 183W E6327 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：BCR183WE6327XT
工廠包裝數(shù)量：3000
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
封裝形式：SOT-323-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：10 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：Infineon

以上是BCR 183W E6327的詳細信息，包括BCR 183W E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管 IGBT 模塊

最新產(chǎn)品：

AFS4-01000400-10-0P-4-5V

ADS8864IDRCR

RER40F22R1RC02