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BCR 112T E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SC-75
數量:
 1548  
說明:
 TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75
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BCR 112T E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐):4.7K
電阻器 - 發射極 (R2)(歐):4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):20 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大):-
頻率 - 轉換:140MHz
功率 - 最大:250mW
安裝類型:表面貼裝

以上是BCR 112T E6327的詳細信息,包括BCR 112T E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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