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BCR 112T E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SC-75
數量：: 1548
說明：: TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75

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BCR 112T E6327 PDF參數資料

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中文參數如下：

晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：4.7K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）：4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：20 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：-
頻率 - 轉換：140MHz
功率 - 最大：250mW
安裝類型：表面貼裝

以上是BCR 112T E6327的詳細信息，包括BCR 112T E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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