色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BCR 103F E6327

BCR 103F E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSFP-3
數(shù)量：: 4518
說明：: TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3

一、本商品被瀏覽0次.

BCR 103F E6327 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
晶體管類型NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）2.2K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）2.2K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)20 @ 20mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）300mV @ 1mA, 20mA
電流 - 集電極截止（最大）-
頻率 - 轉(zhuǎn)換140MHz
功率 - 最大250mW
安裝類型表面貼裝

以上是BCR 103F E6327的詳細(xì)信息，包括BCR 103F E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：