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BC 858B E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 6597
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

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BC 858B E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BC858BE6327HTSA1 BC858BE6327XT SP000010634
工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：330 mW
封裝形式：SOT-23
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：220 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：250 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BC 858B E6327的詳細信息，包括BC 858B E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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