色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BC558BTAR

BC558BTAR

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3 Kinked Lead
數量：: 3627
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

BC558BTAR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：0.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：800
集電極連續電流：- 0.1 A
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：110
增益帶寬產品fT：150 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：- 30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 30 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BC558BTAR的詳細信息，包括BC558BTAR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：