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BAS21E6433HTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT23
數量：: 6615
說明：: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

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BAS21E6433HTMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：PG-SOT23
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：5pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 nA @ 200 V
反向恢復時間 (trr)：50 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
電流 - 平均整流 (Io)：250mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
技術：標準
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BAS21E6433HTMA1的詳細信息，包括BAS21E6433HTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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