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BAS19-HE3-18

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: SOT-23-3
數量：: 5688
說明：: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

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BAS19-HE3-18 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：SOT-23-3
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：5pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 nA @ 100 V
反向恢復時間 (trr)：50 ns
速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
電流 - 平均整流 (Io)：200mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是BAS19-HE3-18的詳細信息，包括BAS19-HE3-18廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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