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B65815E0000R049

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 6473  
說(shuō)明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM12 N49 3700 '+30%-20%
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B65815E0000R049 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長(zhǎng)度:1.480(37.60mm)
高度:0.484(12.30mm)
表面:無(wú)涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:8320
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:125
有效面積 (Ae) mm2:146
有效長(zhǎng)度 (le) mm:57
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.39
初始磁導(dǎo)率 (μi):1500
有效磁導(dǎo)率 (μe):1150
間隙:無(wú)缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):3.7 μH
直徑:-
材料:N49
封裝:RM 12
磁心類(lèi)型:RM
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:RM12
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65815E0000R049的詳細(xì)信息,包括B65815E0000R049廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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