色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 無源元件 > EMI/RFI 器件 > EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 > B65811P0000R092

B65811P0000R092

廠家：: EPCOS
封裝：
數量：: 4941
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8 LP N92 3100 +30%-20%

一、本商品被瀏覽0次.

B65811P0000R092 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
控制特性：
寬度長度：0.913（23.20mm）
高度：0.228（5.80mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1860
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：55.4
有效面積 (Ae) mm2：64.9
有效長度 (le) mm：28.7
磁心因數 (ΣI/A) mm1：0.44
初始磁導率 (μi)：1500
有效磁導率 (μe)：1090
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數 (Al)：3.1 μH
直徑：-
材料：N92
封裝：RM 8 LP
磁心類型：RM
產品狀態：在售
包裝：RM8/LP
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

以上是B65811P0000R092的詳細信息，包括B65811P0000R092廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他EMI/RFI 器件產品：

電磁干擾直通濾波器 EMI組件電磁干擾濾波器 EMI 墊圈與接地墊 EMI 連接器墊圈

EMI/RFI 抑制器及鐵氧體最新產品：

ETD49/25/16-3C90-G1800