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B65803J0000R087

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 2880  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM4 N87 1100 +30%-20%
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B65803J0000R087 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:0.433(11.00mm)
高度:0.207(5.25mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:286
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:11.3
有效面積 (Ae) mm2:13
有效長度 (le) mm:22
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:1.7
初始磁導(dǎo)率 (μi):2200
有效磁導(dǎo)率 (μe):1480
間隙:無缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):1.1 μH
直徑:-
材料:N87
封裝:RM 4
磁心類型:RM
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:RM4
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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