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B65661D1250K048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 1701
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 22X13 N48 1250 +10%-10%

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B65661D1250K048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.268（6.80mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：1990
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：-
有效面積 (Ae) mm2：63
有效長度 (le) mm：31.6
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.5
初始磁導率 (μi)：2300
有效磁導率 (μe)：499
間隙：有缺口
容差：±10%
電感因數(shù) (Al)：1.25 μH
直徑：0.866（22.00mm）
材料：N48
封裝：P 22 x 13
磁心類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P23/13
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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