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B65651T0160G048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 1458  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 18X11 N48 160 +2% -2%
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B65651T0160G048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.209(5.30mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:1114
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:43
有效長度 (le) mm:25.9
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.6
初始磁導率 (μi):-
有效磁導率 (μe):77
間隙:有缺口
容差:±3%
電感因數(shù) (Al):160 nH
直徑:0.724(18.40mm)
材料:N48
封裝:P 18 x 11
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P18/11
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65651T0160G048的詳細信息,包括B65651T0160G048廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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