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B65541D0000R030

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 765
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 14X8 N30 4200 +30%-20%

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B65541D0000R030 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.167（4.25mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：500
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：20
有效面積 (Ae) mm2：25
有效長度 (le) mm：20
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.8
初始磁導(dǎo)率 (μi)：4300
有效磁導(dǎo)率 (μe)：2680
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：4.6 μH
直徑：0.563（14.30mm）
材料：N30
封裝：P 14 x 8
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P14/8
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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