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B65531D0000R030

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 567  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 11X7 N30 3200 +30% -20%
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B65531D0000R030 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.130(3.30mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:253
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:15.9
有效長度 (le) mm:15.9
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:1
初始磁導(dǎo)率 (μi):4300
有效磁導(dǎo)率 (μe):2560
間隙:無缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):3.5 nH
直徑:0.445(11.30mm)
材料:N30
封裝:P 11 x 7
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P11/7
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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