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AUIRF7665S2TR1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 Direct-FET SB
數量：
 8001  
說明：
 MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
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AUIRF7665S2TR1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：7.1 ns
工廠包裝數量：1000
功率耗散：30 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.3 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET SB
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：62 mOhms
漏極連續電流：14.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是AUIRF7665S2TR1的詳細信息，包括AUIRF7665S2TR1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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