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中文參數如下:
波長:900 nm
類型:High Performance Silicon NPN Phototransistor
工廠包裝數量:4000
上升時間:10 us
產品:Phototransistors
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
下降時間:15 us
集電極—射極飽和電壓:0.1 V
集電極—射極擊穿電壓:30 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
封裝形式:T-1 3/4
最大暗電流:100 nA
最大功率耗散:100 mW
RoHS:是
產品種類:光電晶體管
制造商:Lite-On
以上是ASDL-6270-D22的詳細信息,包括ASDL-6270-D22廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!