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APTM50DAM19G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 3460
說明：: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

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APTM50DAM19G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C22.5 毫歐 @ 81.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)500V
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs492nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C163A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 22400pF @ 25V
功率 - 最大1136W
安裝類型底座安裝

以上是APTM50DAM19G的詳細信息，包括APTM50DAM19G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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