色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APTM20UM09SG

APTM20UM09SG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 1818
說明：: MOSFET N-CH 200V 195A J3

一、本商品被瀏覽0次.

APTM20UM09SG PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 74.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs217nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 12300pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝

以上是APTM20UM09SG的詳細(xì)信息，包括APTM20UM09SG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ