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APTM20DHM08G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP6
數量:
 1611  
說明:
 MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6
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APTM20DHM08G PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型2 N 溝道(非對稱橋)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 104A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C208A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 14400pF @ 25V
功率 - 最大781W
安裝類型底座安裝

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