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APTM120U10DAG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP6
數量：: 1467
說明：: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

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APTM120U10DAG PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 58A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 20mA
閘電荷(Qg) @ Vgs1100nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C116A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 28900pF @ 25V
功率 - 最大3290W
安裝類型底座安裝

以上是APTM120U10DAG的詳細信息，包括APTM120U10DAG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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