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APTM100U13SG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: 模塊
數量：: 972
說明：: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

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APTM100U13SG PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C145 毫歐 @ 32.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs2000nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C65A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 31600pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100U13SG的詳細信息，包括APTM100U13SG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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