色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP1
數量：: 801
說明：: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

一、本商品被瀏覽0次.

APTM100DA40T1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C480 毫歐 @ 16A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C20A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 6800pF @ 25V
功率 - 最大357W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100DA40T1G的詳細信息，包括APTM100DA40T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1