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APTGT75DA120D1G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 D1
數量:
 342  
說明:
 IGBT 1200V 110A 357W D1
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中文參數如下:
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)1200V
Vge, Ic時的最大Vce(開)2.1V @ 15V, 75A
電流 - 集電極 (Ic)(最大)110A
功率 - 最大357W
輸入類型標準型
安裝類型底座安裝

以上是APTGT75DA120D1G的詳細信息,包括APTGT75DA120D1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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