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APTGT50DH60TG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP4
數(shù)量：: 36
說明：: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

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APTGT50DH60TG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）1.9V @ 15V, 50A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）80A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)3.15nF @ 25V
功率 - 最大176W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
配置非對稱橋
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

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