色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP3
數(shù)量：: 8613
說明：: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

一、本商品被瀏覽0次.

APTGT30DDA60T3G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）1.9V @ 15V, 30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）50A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)1.6nF @ 25V
功率 - 最大90W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
配置雙路升壓斬波器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

以上是APTGT30DDA60T3G的詳細(xì)信息，包括APTGT30DDA60T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：