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APTGT25H120T1G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP1
數量:
 8334  
說明:
 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
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APTGT25H120T1G PDF參數資料

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中文參數如下:
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)1200V
Vge, Ic時的最大Vce(開)2.1V @ 15V, 25A
電流 - 集電極 (Ic)(最大)40A
電流 - 集電極截止(最大)250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)1.8nF @ 25V
功率 - 最大156W
輸入標準型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

以上是APTGT25H120T1G的詳細信息,包括APTGT25H120T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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