色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > APTGT100A170D1G

APTGT100A170D1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: D1
數量：: 7443
說明：: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

一、本商品被瀏覽0次.

APTGT100A170D1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）1700V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.4V @ 15V, 100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）200A
電流 - 集電極截止（最大）3mA
Vce 時的輸入電容 (Cies)8.5nF @ 25V
功率 - 最大695W
輸入標準型
配置半橋
NTC 熱敏電阻無
安裝類型底座安裝

以上是APTGT100A170D1G的詳細信息，包括APTGT100A170D1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：