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APTGF165A60D1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 D1
數量：
 6525  
說明：
 IGBT NPT PHASE 600V 230A D1
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APTGF165A60D1G-D1圖片

APTGF165A60D1G PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.45V @ 15V, 200A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）230A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)9nF @ 25V
功率 - 最大781W
輸入標準型
配置半橋
NTC 熱敏電阻無
安裝類型底座安裝

以上是APTGF165A60D1G的詳細信息，包括APTGF165A60D1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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