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APT9F100S

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: D3Pak
數量：: 2718
說明：

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APT9F100S PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：337W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2606 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.6 歐姆 @ 5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：POWER MOS 8?
系列：管件
品牌：Microsemi Corporation

以上是APT9F100S的詳細信息，包括APT9F100S廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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