色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > APT6030BVRG

APT6030BVRG

廠家：: Microchip Technology
封裝：: TO-247-3
數量：: 6560
說明：: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247

一、本商品被瀏覽0次.

APT6030BVRG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 10.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)600V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C21A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 3750pF @ 25V
功率 - 最大298W
安裝類型通孔

以上是APT6030BVRG的詳細信息，包括APT6030BVRG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1