色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: TO-220 [K]
數(shù)量：: 7722
說明：: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

一、本商品被瀏覽0次.

APT11N80KC3G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 7.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)800V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 680µA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1585pF @ 25V
功率 - 最大156W
安裝類型通孔

以上是APT11N80KC3G的詳細信息，包括APT11N80KC3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ