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APT10M11JVR

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 ISOTOP?
數量:
 1881  
說明:
 
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APT10M11JVR PDF參數資料

中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):450W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):10300 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):450 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):-
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):144A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:POWER MOS V?
系列:散裝
品牌:Microsemi Corporation

以上是APT10M11JVR的詳細信息,包括APT10M11JVR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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