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APT1001R1BN

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 TO-247AD
數(shù)量:
 1440  
說明:
 
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APT1001R1BN PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):310W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2950 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):130 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.1 歐姆 @ 5.25A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10.5A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1000 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:POWER MOS IV?
系列:管件
品牌:Microchip Technology

以上是APT1001R1BN的詳細信息,包括APT1001R1BN廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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