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APL1001J

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 8292  
說明:
 MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
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APL1001J-圖片

APL1001J PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 500mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 7200pF @ 25V
功率 - 最大520W
安裝類型底座安裝

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