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AOI11S60

廠家:
  Alpha & Omega Semiconductor Inc.
封裝:
 TO-251A
數量:
 6516  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
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AOI11S60-TO-251A圖片

AOI11S60 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):208W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):545 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):11 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):399 毫歐 @ 3.8A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:不適用于新設計
包裝:aMOS?
系列:管件
品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

以上是AOI11S60的詳細信息,包括AOI11S60廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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