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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C115 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1185pF @ 30V
功率 - 最大50W
安裝類型表面貼裝
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