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AOB11S65L

廠家：: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
封裝：: TO-263（D2Pak）
數量：: 7164
說明：: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

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AOB11S65L PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：198W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：646 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13.2 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：399 毫歐 @ 5.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：aMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

以上是AOB11S65L的詳細信息，包括AOB11S65L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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