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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫歐 @ 4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4A
Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :1120pF @ 30V
功率 - 最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
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